隨著信息化的發(fā)展， MCU運算和信息存儲速度越來越快，高速時鐘、快速運算和存儲信號會引起的很強的電磁干擾；由于系統(tǒng)集成度越來越高，零部件的體積越來越小，零部件模塊干擾之間的相互耦合不可避免，很容易將內(nèi)部的干擾帶出來從而引起發(fā)射測試失敗。
另一方面，受能耗越來越小的要求，開關(guān)電源大量使用在汽車電子零部件中，開關(guān)電源的快速開關(guān)切換也會引起很強的電磁發(fā)射；新能源汽車的電機控制器、DC/DC、OBC等零部件，都有很高的電源功率轉(zhuǎn)換模塊，這些模塊也會帶來很強的電磁干擾。
汽車電子發(fā)射測試項目
1、CTE測試失敗CTE測試的失敗一般由內(nèi)部大功率的磁性器件引起，如電機的線圈，電磁鐵的線圈、濾波電路中的大功率電感等，這些部件在關(guān)閉的瞬間會產(chǎn)生很強的瞬態(tài)脈沖。
CTE測試失敗數(shù)據(jù)
2、MFE測試失敗MFE測試的失敗一般由內(nèi)部大功率的磁性器件引起，如電機的線圈，電磁鐵的線圈、新能源部件中的大功率感性部件等，這些部件在工作時會產(chǎn)生的低頻磁場干擾。
MFE測試失敗數(shù)據(jù)
CE測試中的失敗一般由開關(guān)電源和地處理不良引起，測試數(shù)據(jù)中的窄帶騷擾引起超標一般為開關(guān)電源引起，寬帶騷擾超標一般由地處理不良引起。
4、RE測試失敗
RE測試中的低頻失敗一般由開關(guān)電源和地處理不良引起，高頻失敗一半為內(nèi)部時鐘或晶振的處理不良引起倍頻超標，這些信號會有很強的規(guī)律，很容易區(qū)分。
開關(guān)電源模塊引起的RE測試失敗
地處理不良引起的RE測試失敗
來源：TUV萊茵
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